[发明专利]磁控溅射成膜装置

权利要求书

1.一种磁控溅射成膜装置，其特征在于，

该磁控溅射成膜装置具备：

成膜辊；

第1磁控等离子体单元，其与所述成膜辊相对配置，沿着所述成膜辊的轴线延伸；以及

第2磁控等离子体单元，其与所述成膜辊相对配置，并与所述第1磁控等离子体单元相邻配置，沿着所述成膜辊的轴线延伸，

所述第1磁控等离子体单元具备：

第1旋转靶，其轴线在与所述成膜辊的轴线相同的方向上延伸；

第1磁轭，其配置于所述第1旋转靶的径向内侧；以及

第1磁体部，其在所述第1旋转靶的径向内侧配置于所述第1磁轭的表面，

所述第2磁控等离子体单元具备：

第2旋转靶，其轴线在与所述第1旋转靶的轴线相同的方向上延伸；

第2磁轭，其配置于所述第2旋转靶的径向内侧；以及

第2磁体部，其在所述第2旋转靶的径向内侧配置于所述第2磁轭的表面，

该磁控溅射成膜装置满足下述条件[1]～条件[3]中的至少任一个条件：

条件[1]：在从所述第1旋转靶的轴线朝向所述成膜辊的轴线的第1方向上，从所述第1磁体部到所述第1旋转靶的距离随着朝向所述成膜辊的轴线方向一侧而变长，在从所述第2旋转靶的轴线朝向所述成膜辊的轴线的第2方向上，从所述第2磁体部到所述第2旋转靶的距离随着朝向所述成膜辊的轴线方向另一侧而变长；

条件[2]：所述第1磁体部随着朝向所述成膜辊的轴线方向一侧而变薄，所述第2磁体部随着朝向所述成膜辊的轴线方向另一侧而变薄；

条件[3]：所述第1磁轭随着朝向所述成膜辊的轴线方向一侧而变薄，所述第2磁轭随着朝向所述成膜辊的轴线方向另一侧而变薄。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射成膜装置，其特征在于，

所述第1旋转靶与所述成膜辊之间的磁场强度随着朝向所述轴线方向一侧而变低，所述第2旋转靶与所述成膜辊之间的磁场强度随着朝向所述轴线方向另一侧而变低。

3.根据权利要求1所述的磁控溅射成膜装置，其特征在于，

该磁控溅射成膜装置满足所述条件[1]，

所述第1磁体部的厚度和所述第2磁体部的厚度分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同，

所述第1磁轭的厚度和所述第2磁轭的厚度分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射成膜装置，其特征在于，

该磁控溅射成膜装置满足所述条件[1]和所述条件[2]，

所述第1方向上的从所述第1磁轭到所述第1旋转靶的距离和所述第2方向上的从所述第2磁轭到所述第2旋转靶的距离分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同。

5.根据权利要求1所述的磁控溅射成膜装置，其特征在于，

该磁控溅射成膜装置满足所述条件[3]，

所述第1方向上的从所述第1磁轭到所述第1旋转靶的距离和所述第2方向上的从所述第2磁轭到所述第2旋转靶的距离分别在所述成膜辊的整个轴线方向上相同。