[发明专利]用于存储器单元的器件意识测试在审

专利信息
申请号: 202080076817.0 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN114641826A 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 莫塔乔拉·陶伊尔;赛义德·哈姆迪乌伊 申请(专利权)人: 代尔夫特技术大学
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10;G06F30/333
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;王艳春
地址: 荷兰代*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种用于测试集成电路器件(1)的方法,该方法包括:对集成电路器件(1)进行缺陷建模;基于从缺陷建模获得的信息对集成电路器件(1)进行故障建模;基于从故障建模获得的信息进行测试开发;以及对集成电路器件(1)执行测试。对集成电路器件(1)进行缺陷建模包括:执行对集成电路器件(1)的物理缺陷分析(10),以提供从与集成电路器件(1)相关联的一组无缺陷技术参数(Tpdf)修改的一组有效技术参数(Tpeff);以及使用该一组有效技术参数(Tpeff)来执行对集成电路器件(1)的电学建模(11),以基于集成电路器件(1)的无缺陷电学模型来提供缺陷参数化电学模型(16;17)。本方法实现十亿分率测试能力。
搜索关键词: 用于 存储器 单元 器件 意识 测试
【主权项】:
暂无信息
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