[发明专利]单片硅光电倍增器阵列在审
| 申请号： | 202080065868.3 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN114424347A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | C.奥纳尔;P-Y.德罗兹;N.达里亚 | 申请（专利权）人： | 伟摩有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/107;H01L27/144;H01L31/18;G01S7/481;G01S17/894 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金玉洁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光学系统，可以包括衬底和与衬底单片地集成的多个硅光电倍增器(SiPM)。每个SiPM可以包括多个单光子雪崩二极管(SPAD)。该光学系统还包括具有多个光圈的光圈阵列。多个SiPM和光圈阵列被对准，以便限定多个接收器通道。每个接收器通道包括光学耦合到多个光圈中的相应光圈的多个SiPM中的相应SiPM。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 光电 倍增器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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