[发明专利]氢传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202080050333.9 申请日: 2020-07-10
公开(公告)号: CN114207415A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 徐亨卓;韩承益;李英安 申请(专利权)人: 股份公司大贤ST
主分类号: G01N21/78 分类号: G01N21/78;G01N31/10;B01J23/42
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 延美花;刘芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开氢传感器。氢传感器包括:基板;配置于所述基板上,由与氢离子或氢原子反应发生颜色变化的氧化物半导体物质形成的变色层;位于所述变色层的表面上,由将氢分子(H2)分解成氢原子(H)或氢离子(H+)的催化剂物质形成的催化剂层;以及配置成包覆所述催化剂层的表面及所述变色层的露出表面,由阻挡水分子透过但氢分子能够透过的高分子物质形成的保护膜层。
搜索关键词: 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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