[发明专利]具有简化构造的单模硅基III-V族混合激光器在审
申请号: | 202080033867.0 | 申请日: | 2020-04-24 |
公开(公告)号: | CN113785454A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | S·梅内佐;J·潘;T·蒂森 | 申请(专利权)人: | 法国原子能源和替代能源委员会 |
主分类号: | H01S5/02 | 分类号: | H01S5/02;H01S5/0225;H01S5/026;H01S5/10;H01S5/12;H01S5/125;H01S5/14;H01S5/20 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 王珺;卜晨 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种激光装置,包括:III‑V族异质结构放大介质(1,QW,2);硅光波导(3,4),包括面向放大介质中心部分的耦合段(71)、传播段(74)和布置在耦合段(71)和传播段(74)之间的第一过渡段(72);第一和第二反射结构(Mf,Mr),允许在它们之间形成用于放大介质的法布里‑珀罗型谐振腔。耦合段(71)包括设置有通过减小耦合段的厚度和/或宽度设计的微反射器的折射率干扰区域(71)。第一反射结构(Mf)形成在波导的具有第一厚度的段中。第二反射结构(Mr)形成在波导的具有第一厚度且通过波导的第二过渡段(73)与耦合段(71)分隔开的一段(75)中,第二过渡段(73)具有大于第一厚度的第二厚度。 | ||
搜索关键词: | 具有 简化 构造 单模 iii 混合 激光器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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