[发明专利]第三层叠体的制造方法、第四层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体在审
| 申请号： | 202080026612.1 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN113692352A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 上道厚史;根本拓;中石康喜;古野健太 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/16 | 分类号： | B32B27/16;B32B7/025;B32B7/04;H01L23/00;B23K26/00;B32B15/08;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种第三层叠体(19)的制造方法，其中，工件(14)的一个面为电路面(14a)，另一个面为背面(14b)，背面保护膜形成用膜(13)的一个面为平滑面(13b)，另一个面为比平滑面(13b)粗糙的粗糙面(13a)，所述制造方法依次包括：将背面保护膜形成用膜(13)的粗糙面(13a)朝向工件(14)的背面(14b)进行贴附的第一层叠工序；及在背面保护膜形成用膜(13)的平滑面(13b)上贴附支撑片(10)的第二层叠工序。 | ||
| 搜索关键词： | 第三 层叠 制造 方法 第四 背面 保护膜 半导体 装置 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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