[发明专利]光检测器在审
| 申请号： | 202080023598.X | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113614932A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 可部达也;新井秀幸;相川恒;杉浦裕树;井上晓登;森三佳;中西贤太郎;坂田祐辅 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在光检测器(1000)，具有APD(111)的受光部(100)与外围电路部(200)分别设置在p型半导体基板(10)的第一主面(S1)上，光检测器(1000)还包括在半导体基板(10)的第二主面(S2)上设置的背面电极(300)和设置在受光部(100)与外围电路部(200)之间的p型第一分离部(13)。APD(111)在第一主面(S1)侧具有n型区域(20)，并且具有在Z方向与n型区域(20)相接触的p外延层(12)。外围电路部(200)具有设置在p阱(14)的n型MISFET(30)和以包围p阱(14)的侧部和底部的方式而设的n阱(21)。 | ||
| 搜索关键词： | 检测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
