[发明专利]用于制造绝缘体上半导体衬底的方法在审
| 申请号： | 202080021426.9 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113597668A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | M·波卡特;阿诺德·卡斯泰 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 党晓林;王万影 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，其包括以下步骤：设置供体衬底(1)，其包括限定待转移层的弱化区；设置受体衬底(2)；通过发起从界面的外围(11)的第一区域(13)开始的结合波(3)并且使该波朝向所述界面的外围(11)的与第一区域(13)相对的第二区域(14)传播，将供体衬底(1)结合至受体衬底(2)上，待转移层位于结合界面(10)的那一侧上，结合波(3)的传播速度在中心部分(12)中比在外围部分(11)中低；以及沿着弱化区分离供体衬底(1)以便将待转移层转移到受体衬底(2)上，该方法的特征在于，结合在受控条件下实现以增加结合波在结合界面(10)的外围部分(11)与中心部分(12)之间的传播速度的差。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 绝缘体 上半 导体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
