[发明专利]波导集成等离子体激元辅助场发射检测器有效
| 申请号： | 202080018071.8 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113785404B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | W.M.琼斯;L.B.德罗斯;A.谢勒 | 申请（专利权）人： | 加州理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;G01J1/02;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贺紫秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将场发射与表面等离子体激元极化相结合的光检测器。描述了允许在THz范围内且在高频下检测和测量光的方法和器件。所公开的器件包括具有窄纳米尺寸间隙的等离子体激元金属触点，以将光波导模态耦合到等离子体激元模态，从而通过偏置所述触点来产生场发射电流。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 集成 等离子体 辅助 发射 检测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
