[发明专利]基于超薄导体的半透明电磁干扰屏蔽在审
| 申请号： | 202080017952.8 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113544795A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郭凌杰;王赫岩 | 申请（专利权）人： | 密歇根大学董事会 |
| 主分类号： | H01B1/02 | 分类号： | H01B1/02;H05K1/02;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 张凯 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于宽带电磁干扰(EMI)屏蔽的电磁干扰屏蔽件和方法。设置在电磁辐射路径中的EMI屏蔽件阻挡宽频率范围(约800MHz至约90GHz)、以达到至20dB的屏蔽效率，而通过电磁屏蔽件透射可视范围内的波长以达到约85％的平均透射效率。该屏蔽件包括柔性叠层，该柔性叠层包括连续超薄金属膜和两个抗反射介电层，该连续超薄金属膜包含银(Ag)和铜(Cu)，该两个抗反射介电层设置在超薄金属膜的任一侧上。该屏蔽件还可以包括多个叠层或可选的石墨烯层，该石墨烯层可以与柔性叠层间隔开以实现射频(RE)吸收，这提供了额外形式的EMI屏蔽。EMI屏蔽可以经由卷对卷溅射制成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 超薄 导体 半透明 电磁 干扰 屏蔽 | ||
【主权项】：
暂无信息
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