[发明专利]基于超薄导体的半透明电磁干扰屏蔽在审

专利信息
申请号: 202080017952.8 申请日: 2020-02-28
公开(公告)号: CN113544795A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 郭凌杰;王赫岩 申请(专利权)人: 密歇根大学董事会
主分类号: H01B1/02 分类号: H01B1/02;H05K1/02;H05K9/00
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 张凯
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基于 超薄 导体 半透明 电磁 干扰 屏蔽
【权利要求书】:

1.一种用于宽带电磁干扰(EMI)屏蔽的方法,所述方法包括:

在电磁辐射的透射路径中设置电磁屏蔽件以用于阻挡大于或等于约600MHz至小于或等于约90GHz的频率范围、以达到大于或等于20dB的屏蔽效率,而通过所述电磁屏蔽件透射大于或等于约390nm至小于或等于约740nm的可视范围内的波长范围、以达到大于或等于约65%的平均可视透射效率,其中,所述电磁屏蔽件包括柔性叠层,所述柔性叠层包括:

连续金属膜,所述连续金属膜限定第一侧和相反的第二侧,并且所述连续金属膜包含大于或等于约80原子%的银(Ag)和小于或等于约20原子%的铜(Cu)、具有小于或等于约10nm的厚度、具有小于或等于约20Ohm/平方的薄层电阻,所述连续金属膜对所述波长范围基本上是透明的;

第一导电层,所述第一导电层设置成与所述连续金属膜的所述第一侧相邻,其中,所述第一导电层包括选自由以下组成的组的导电介电材料:铟锡氧化物、铝锡氧化物、铟锡氧化物、氟掺杂锡氧化物、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、及其混合物;以及

第二导电层,所述第二导电层设置成与所述连续金属膜的所述相反的第二侧相邻,其中,所述第二导电层包括选自由以下组成的组的导电介电材料:铟锡氧化物、铝锡氧化物、铟锡氧化物、氟掺杂锡氧化物、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、及其混合物。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电磁屏蔽件还包括石墨烯层。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述石墨烯层包括至少一种掺杂剂。

4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述电磁屏蔽件还包括至少一个间隔件层,所述至少一个间隔件层包括设置在所述石墨烯层与所述柔性叠层的所述第二导电层之间的介电材料。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述至少一个间隔件层具有对应于大于或等于约800MHz至小于或等于约90GHz的频率范围内的电磁辐射的峰值波长的四分之一的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述阻挡为针对大于或等于约8GHz至小于或等于约40GHz的频率范围、以达到大于或等于26dB的屏蔽效率。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电磁屏蔽件还包括石墨烯层,所述石墨烯层与所述柔性叠层一起限定谐振腔体,使得所述阻挡包括吸收所述谐振腔体内大于或等于约800MHz至小于或等于约90GHz的频率范围,使得所述电磁屏蔽件的反射率小于或等于约1%。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述屏蔽效率大于或等于20dB,而所述平均可视透射效率大于或等于约85%。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述屏蔽效率大于或等于30dB,而所述平均可视透射效率大于或等于约80%。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述屏蔽效率大于或等于50dB,而所述平均可视透射效率大于或等于约65%。

11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一导电层具有小于或等于约45nm的厚度,并且所述第二导电层具有小于或等于约45nm的厚度。

12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述柔性叠层还包括基材,所述基材对所述波长范围是透射性的。

13.根据权利要求1所述的方法,其中,在大于或等于约250次弯曲循环之后,所述柔性叠层具有小于或等于20Ohm/平方的薄层电阻(Rs)。

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