[发明专利]制造亚临界尺寸的稳定原子簇的亚临界成核工艺及由这些簇制成的材料的结构、性质和应用在审
| 申请号： | 202080017190.1 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113574012A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 谢尔盖·古列维奇;弗拉基米尔·科兹文;丹尼斯·雅夫辛;阿列克谢·普拉托诺夫;亚历山大·阿特拉什琴科;迈克尔·科尔 | 申请（专利权）人： | 和碳超级电容有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/15 | 分类号： | C01B32/15;B82Y40/00;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/36 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 刘小峰;杨帆 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造亚临界尺寸的稳定原子簇的方法，其中蒸气云发生快速膨胀和快速冷却，其中控制蒸气条件或参数使得多个稳定簇被冷凝，每个所述簇的尺寸小于临界尺寸并由亚临界成核形成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 临界 尺寸 稳定 子簇 成核 工艺 这些 制成 材料 结构 性质 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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