[发明专利]用于减少蒸发和降解的处理半导体膜的方法在审
| 申请号： | 202080010215.5 | 申请日： | 2020-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN113330536A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | C.J.佐尔纳;M.伊扎;J.S.斯佩克;S.纳卡穆拉;S.P.登巴尔斯 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在处理期间保护由一层或多层构成的半导体膜的方法。该方法包括将半导体膜的表面与保护性覆盖件(诸如分离的基板件)的表面直接接触，该保护性覆盖件与半导体膜的表面形成气密或气密密封，以便在半导体膜中减少材料降解和蒸发。该方法包括在例如热退火和/或控制环境的一些条件下处理半导体膜，该条件可能在没有保护性覆盖件的情况下导致半导体膜的蒸发或降解。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 蒸发 降解 处理 半导体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
