[发明专利]激光退火方法及激光退火装置在审
| 申请号： | 202080007893.6 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN113261077A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 水村通伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;洪秀川 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 进行如下工序：准备形成有由微晶硅构成的籽晶区域的被处理基板，其中，在位于栅极布线的上方的区域的非晶硅膜上设定有改性预定区域，在所述改性预定区域的、相对于所述栅极布线而言位于与该栅极布线的长度方向正交的方向上的外侧，形成有所述籽晶区域；进行横向晶体形成工序，在所述横向晶体形成工序中，使连续振荡激光以所述籽晶区域为起点沿着与所述栅极布线的长度方向正交的方向对所述非晶硅膜的表面进行照射并同时移动，以使各所述改性预定区域内的所述非晶硅膜成为晶化硅膜的方式选择性地进行晶体生长。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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