[发明专利]垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 202080006355.5 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113169520A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 迪特尔·宾贝格;冈特·拉里斯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造至少一个辐射发射器的方法，该方法包括以下步骤：在衬底的顶面上沉积蚀刻停止层；在蚀刻停止层上沉积层堆叠，该层堆叠包括第一接触层、第一反射器、有源区、第二反射器和第二接触层；局部去除层堆叠和蚀刻停止层，从而形成至少一个台面，该至少一个台面包括蚀刻停止层的未去除部分和层状柱，该层状柱基于至少一个台面内未去除的层堆叠形成垂直腔面激光器结构；在衬底的顶面上沉积保护材料，从而将整个台面嵌入保护材料中，其中衬底的背面保持不受保护；通过施加至少一种蚀刻剂来去除衬底，该至少一种蚀刻剂能够蚀刻衬底，但不能蚀刻或较少地蚀刻蚀刻停止层和保护材料；以及去除蚀刻停止层，从而暴露层状柱的第一接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
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