[发明专利]半导体器件结构和其制造方法有效
| 申请号： | 202080005485.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112789733B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 黃敬源;吴芃逸 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 提供半导体器件结构和其制造方法。所述半导体器件结构包含衬底、所述衬底上的半导体层以及安置在所述衬底上且被所述半导体层覆盖的图案化电介质层。所述图案化电介质层经配置以防止所述半导体层中的成分扩散到所述衬底中。所述半导体器件结构还包含所述半导体层上的第一氮化物半导体层和所述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层。所述第二氮化物半导体层的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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