[发明专利]用于3D PCM的改进的选择器热可靠性的新颖间隙填充和单元结构有效
| 申请号： | 202080003517.X | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112585758B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张文锦;刘茹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 给出了一种用于3D交叉点存储器的新间隙填充方案，该方案与现有技术的3D交叉点存储器结构的电流状态相比允许减少的编程电流和减少的热串扰。一种三维存储单元结构包括相互间隔开的平面布置结构中的多个平行、垂直延伸的存储单元，该平面布置结构包括这些存储单元之间的间隙。该结构还包括填充间隙的两层填充物，包括下层填充物和上层填充物，下层具有比上层大的热导率。下层填充物可以是氧化物。下层填充物的较大热导率实现来自存储单元中的选择器的散热，而上层填充物防止存储单元的相变元件之间的串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 pcm 改进 选择器 可靠性 新颖 间隙 填充 单元 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司，未经长江先进存储产业创新中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080003517.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
