[发明专利]门极主动控制电路、方法及SiC MOSFET门极主动控制系统有效
| 申请号： | 202080002583.5 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN113228484B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 耿程飞;王国建;吴轩钦;周志达 | 申请（专利权）人： | 深圳市英威腾电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 张志江 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种门极主动控制电路、方法及SiC MOSFET门极主动控制系统，包括可编程模块、电位计模块、4选1模拟开关和门极电流调控电路；可编程模块的输出端与半导体开关器件的门极连接，电位计模块的输入端连接电源电压端，电位计模块的输出端与4选1模拟开关的输入端连接，可编程模块的控制端与4选1模拟开关的受控端连接，4选1模拟开关的输出端与门极电流调控电路的输入端连接，门极电流调控电路的输出端与半导体开关器件的门极连接。通过可编程模块、电位计模块、4选1模拟开关和门极电流调控电路的控制，配置为对半导体开关器件进行开通暂态调控、关断暂态调控、软关断调控；降低门极主动控制电路的硬件成本、调试复杂度，同时提升了控制灵活性、可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 控制电路 方法 sic mosfet 控制系统 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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