[发明专利]对多平面存储器件进行编程的方法有效
| 申请号： | 202080000277.8 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111356980B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 邓佳梁;王瑜 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种存储器件，包括多个平面、行驱动器和控制器。一种对存储器件进行编程的方法，包括：在编程操作中，行驱动器向多个平面中的第一平面中的多个存储单元施加编程脉冲；在行驱动器向多个存储单元施加编程脉冲之后，控制器验证多个存储单元是否已经达到预定的编程状态；以及，如果在多个存储单元以及被验证了预定次数之后所述多个存储单元中的预设数量的存储单元是否还未达到预定的编程状态，则控制器禁用第一平面。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 存储 器件 进行 编程 方法 | ||
【主权项】：
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