[实用新型]一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备有效
| 申请号： | 202022753217.3 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN213212170U | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 曾丹;史波;葛孝昊 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘红彬 |
| 地址： | 519070 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体领域，公开一种元胞结构、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构，包括：外延层；形成于所述外延层一侧的P+耐压区；位于所述P+耐压区两侧的第一多晶硅栅极层和第二多晶硅栅极层；形成于所述P+耐压区背离所述外延层一侧的多晶硅连接引线层，所述多晶硅连接引线层用于将所述第一多晶硅栅极层和所述第二多晶硅栅极层连接；形成于所述多晶硅连接引线层背离所述外延层一侧的二氧化硅层，在所述二氧化硅层设有连接孔，以使所述多晶硅连接引线层露出；形成于所述二氧化硅层背离所述外延层一侧的金属层，以实现所述金属层与所述多晶硅连接引线层连接。用于解决由于元胞尺寸缩小、电流密度增大导致的抗短路性能变差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 功率 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】：
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