[实用新型]一种使用寿命长的单晶硅片有效

专利信息
申请号: 202022545266.8 申请日: 2021-07-23
公开(公告)号: CN214354619U 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 董洋 申请(专利权)人: 苏州格罗德集成电路有限公司
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;B32B9/04;B32B7/12;B32B27/36;B32B27/32;B32B27/08;B32B27/00;B32B27/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区金*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种使用寿命长的单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体包括基底层,所述基底层的顶部通过光学胶粘接有第一耐候层,所述第一耐候层包括PET层和树脂层,所述基底层的底部通过光学胶粘接有第二耐候层,所述第二耐候层包括聚苯乙烯层和PC层。本实用新型在基底层的顶部通过光学胶粘接有第一耐候层,第一耐候层包括的PET层和树脂层都具有非常好的耐候性,在基底层的底部通过光学胶粘接有第二耐候层,第二耐候层包括的聚苯乙烯层和PC层都具有非常好的耐候性,使单晶硅片本体达到了耐候性好的目的,解决了现有的单晶硅片不具备耐候性能好的功能,导致其在大自然环境中容易损坏,从而寿命比较短的问题。
搜索关键词: 一种 使用寿命 单晶硅
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州格罗德集成电路有限公司,未经苏州格罗德集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202022545266.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top