[实用新型]一种使用寿命长的单晶硅片有效
申请号: | 202022545266.8 | 申请日: | 2021-07-23 |
公开(公告)号: | CN214354619U | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 董洋 | 申请(专利权)人: | 苏州格罗德集成电路有限公司 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;B32B9/04;B32B7/12;B32B27/36;B32B27/32;B32B27/08;B32B27/00;B32B27/06 |
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地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区金*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用寿命 单晶硅 | ||
本实用新型公开了一种使用寿命长的单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体包括基底层,所述基底层的顶部通过光学胶粘接有第一耐候层,所述第一耐候层包括PET层和树脂层,所述基底层的底部通过光学胶粘接有第二耐候层,所述第二耐候层包括聚苯乙烯层和PC层。本实用新型在基底层的顶部通过光学胶粘接有第一耐候层,第一耐候层包括的PET层和树脂层都具有非常好的耐候性,在基底层的底部通过光学胶粘接有第二耐候层,第二耐候层包括的聚苯乙烯层和PC层都具有非常好的耐候性,使单晶硅片本体达到了耐候性好的目的,解决了现有的单晶硅片不具备耐候性能好的功能,导致其在大自然环境中容易损坏,从而寿命比较短的问题。
技术领域
本实用新型涉及单晶硅片技术领域,具体为一种使用寿命长的单晶硅片。
背景技术
硅的单晶体是一种具有基本完整的点阵结构的晶体,单晶硅片主要用于制作半导体元件,是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等,单晶硅片也经常运用到太阳能电池上,而现有的单晶硅片不具备耐候性能好的功能,导致其在大自然环境中容易损坏,从而寿命比较短,为此,我们提出一种使用寿命长的单晶硅片。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种使用寿命长的单晶硅片,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种使用寿命长的单晶硅片,包括单晶硅片本体,所述单晶硅片本体包括基底层,所述基底层的顶部通过光学胶粘接有第一耐候层,所述第一耐候层包括PET层和树脂层,所述基底层的底部通过光学胶粘接有第二耐候层,所述第二耐候层包括聚苯乙烯层和PC层。
优选的,所述树脂层位于基底层的顶部,所述树脂层的顶部与 PET层的底部通过光学胶粘接。
优选的,所述PET层的厚度和树脂层的厚度相同,且第一耐候层的厚度为基底层厚度的0.2-0.3倍。
优选的,所述聚苯乙烯层位于基底层的底部,所述聚苯乙烯层的底部与PC层的顶部通过光学胶粘接。
优选的,所述聚苯乙烯层的厚度和PC层的厚度相同,且第二耐候层的厚度为基底层厚度的0.3-0.4倍。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
本实用新型在基底层的顶部通过光学胶粘接有第一耐候层,第一耐候层包括的PET层和树脂层都具有非常好的耐候性,在基底层的底部通过光学胶粘接有第二耐候层,第二耐候层包括的聚苯乙烯层和 PC层都具有非常好的耐候性,使单晶硅片本体达到了耐候性好的目的,解决了现有的单晶硅片不具备耐候性能好的功能,导致其在大自然环境中容易损坏,从而寿命比较短的问题。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型单晶硅片本体剖视结构示意图;
图3为本实用新型第一耐候层结构示意图;
图4为本实用新型第二耐候层结构示意图。
图中:1、单晶硅片本体;11、基底层;12、第一耐候层;121、 PET层;122、树脂层;13、第二耐候层;131、聚苯乙烯层;132、 PC层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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