[实用新型]一种沟槽型肖特基二极管器件有效
| 申请号： | 202022242357.4 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN213242561U | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江 | 申请（专利权）人： | 倪炜江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种沟槽型肖特基二极管器件，所述器件的有源区有多个原胞并联而成，在一个基本原胞中，包括处于正交排列的沟槽与p+层，即所述沟槽与所述p+层的方向是垂直的；在一个原胞中，沿着垂直于纸面的纵深方向依次为结构A和结构B，其中，所述结构A为纯沟槽肖特基二极管结构，所述结构B为pn二极管结构。对于n型导电器件，本实用新型器件原胞中通过相反类型的掺杂形成p+区与沟槽的正交形式的排列，实现对沟槽和肖特基接触的电场屏蔽，降低器件的反偏漏电流。同时通过沟槽内及台面上的不同势垒的肖特基接触，降低器件的开启电压和导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 型肖特基 二极管 器件 | ||
【主权项】：
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