[实用新型]一种终端结构及功率半导体器件有效

专利信息
申请号: 202022165873.1 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN212303678U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 周付康;高凌云;周建蒙;李思泷;李燕;陈译 申请(专利权)人: 厦门理工学院
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78;H01L23/64
代理公司: 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 代理人: 郭福利
地址: 361024 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 实用新型提供了一种终端结构即及功率半导体器件,包括:衬底;配置在所述衬底第一表面的外延层;设置在所述外延层内的场限环,设置在所述场限环两侧的内部金属层;配置在所述外延层上的电容复合结构层,配置在所述电容复合结构层两侧的外部金属层,覆盖在所述电容复合结构层上的绝缘层,其中,所述外部金属层与内部金属层电连接,所述电容复合结构层的两端分别与外部金属层电连接。解决了在不增加边缘终端区面积的情况下,提高边缘终端区的耐压能力。
搜索关键词: 一种 终端 结构 功率 半导体器件
【主权项】:
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