[实用新型]硅基光伏电池有效
申请号: | 202021666991.4 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN213340384U | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 葛学斌;吴守庆;冯成坤 | 申请(专利权)人: | 上海先韦能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201600 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型发明太阳能电池技术领域一种高效率硅基光伏电池。一种硅基光伏电池,其特征在于:所述硅基光伏电池从下至上包括金属铝层、导电层、N型单晶硅片、P型硅层、氮化硅钝化层和铜栅电极,所述N型单晶硅片进行双面制绒处理,在N型单晶硅片的表面形成金字塔微结构的绒面层;所述P型硅层上沉积氮化硅钝化层,所述氮化硅钝化层上通过刻蚀处理在P+掺杂区的对应位置形成上电极的区域开口;在P型硅层的上表面沉积铜栅电极;N型单晶硅片下表面沉积导电层,导电层为二氧化钛/黑磷烯复合层,在所述N型单晶硅片的下表面形成下电极。本实用新型具有提高光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 硅基光伏 电池 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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