[实用新型]一种使用寿命长单晶硅片有效
申请号: | 202021337625.4 | 申请日: | 2020-07-09 |
公开(公告)号: | CN212848419U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 班义征 | 申请(专利权)人: | 深圳市百度微半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/048 |
代理公司: | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人: | 赵爱蓉 |
地址: | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种使用寿命长单晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体的表面均匀排设有栅线,所述硅片本体表面的两侧均设置有引流线,所述引流线与栅线为贯穿设置,所述硅片本体包括单硅基层,所述单硅基层的顶部固定连接有绒面结构层,所述绒面结构层的顶部固定连接有保护层,保护层包括防紫外线层和防刮层组成。本实用新型通过硅片本体、栅线、引流线、单硅基层、绒面结构层、保护层、防紫外线层、防刮层、抗反射层和增透层的配合使用,能够有效的解决传统单晶硅片在安装过程中防护性较差的问题,该结构使得该双面单晶硅片的强度更高,在安装时不易发生碎裂,同时能够进一步减少光衰,从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用寿命 单晶硅 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的