[实用新型]一种磷化铟高压单晶生长炉有效
| 申请号： | 202021023171.3 | 申请日： | 2020-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN213013163U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张华芹;程佳彪;弓利军 | 申请（专利权）人： | 上海韵申新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 上海愉腾专利代理事务所(普通合伙) 31306 | 代理人： | 谢小军 |
| 地址： | 201612 上海市松江区漕河泾开发*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种磷化铟高压单晶生长炉，所述磷化铟高压单晶生长炉包括炉体、冷却系统、加热系统和恒压系统，所述炉体包括筒体、设置在筒体顶端的上端盖、设置在筒体低端的下端盖和设置在筒体上的固定架，恒压系统包括设置在下端盖上的进气口和设置在上端盖上的出气装置，进气口贯穿下端盖与筒体内部相连通，所述出气装置包括设置在上端盖上的出气口、第一端与出气口相连通的三通管、与三通管第二端相连通的泄压阀和与三通管第三端相连通的排气管道，排气管道与外界工业废气回收设备相连，泄压阀的泄压口与外界空气相连，所述出气口贯穿上端盖与筒体内部相连通。本实用新型能够提高磷化铟的单晶率，保证磷化铟单晶生长质量的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 高压 生长 | ||
【主权项】：
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