[实用新型]压接型IGBT局部放电模拟装置有效
| 申请号： | 202020931837.9 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN212723183U | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 祝令瑜;刘琛硕;汲胜昌;占草;刘占磊;侯婷 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;南方电网科学研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 任少瑞 |
| 地址： | 710001 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种压接型IGBT局部放电模拟装置。所述压接型IGBT局部放电模拟装置包括：箱体，具有一容纳腔；模拟样件，设置于所述容纳腔，所述模拟样件的材料与待模拟IGBT的绝缘层的材料相同；高压电极，设置于所述容纳腔；接地电极，设置于所述容纳腔，与所述高压电极间隔设置，高压电极和接地电极中的至少一个与所述模拟样件接触；高压电源，与所述高压电极电连接，用于向所述高压电极提供高压电。本申请提供的压接型IGBT局部放电模拟装置能够实现压接型IGBT局部放电的模拟。 | ||
| 搜索关键词： | 压接型 igbt 局部 放电 模拟 装置 | ||
【主权项】：
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