[实用新型]一种真空溅射镀膜装置有效
| 申请号： | 202020830578.0 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN212175030U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 胡兴微;蒋玉东 | 申请（专利权）人： | 四川猛犸半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/34 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 644000 四川省宜宾市临港经开*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及真空镀膜技术领域。本实用新型公开了一种真空溅射镀膜装置，包括一真空腔体以及间隔设置在该真空腔体内的A靶和B靶，A靶和B靶分别连接第一电源，B靶的等离子体的方向朝向A靶的表面，用于将B靶的材料沉积在A靶的表面上，A靶的等离子体的方向朝向基板，用于将A靶和B靶的材料沉积在基板上而形成薄膜层，还包括第一导电板和第二导电板，第一导电板位于A靶的远离B靶的一侧，第二导电板位于B靶的远离A靶的一侧，第一导电板和第二导电板分别连接第二电源的两输出端。本实用新型能够很容易实现多组分薄膜层的沉积，且可提高所沉积膜层的组分均匀性，可以用于各种不同材料的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
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