[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 202020690639.8 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN213026137U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 冯荣杰 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上；轻掺杂区，位于外延层中；以及导电层，位于绝缘层中，通过引线与轻掺杂区连接。该半导体器件通过设置轻掺杂区和导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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