[实用新型]一种用于两相法沉积介孔硅的钛片夹持装置有效
申请号: | 202020324803.3 | 申请日: | 2020-03-16 |
公开(公告)号: | CN211872086U | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 宋文;孟凡辉;李哲;何奕德;陈芳浩 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军空军军医大学 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;C01B33/021 |
代理公司: | 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 | 代理人: | 白志杰 |
地址: | 710032 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种化学试验辅助装置领域的用于两相法沉积介孔硅的钛片夹持装置,包括两个一字形环形单元,且每个所述一字形环形单元均为非闭合环形结构;两个所述一字形环形单元嵌套连接形成成十字形夹持装置,并且两个所述一字形环形单元中心结合处为镂空,形成用于置放搅拌子的空腔,其四周形成用于夹持钛片的夹持腔;并且所述两个一字形环形单元可拆开使用,每个所述一字形环形单元均可单独作为夹持装置使用。本实用新型的装置结构简单易于操作,在使用时,不仅可以将钛片稳固可靠的固定在水相,同时又避免对下方搅拌子,以及上方两相界面的扰动,为最终介孔硅薄膜的成功合成奠定基础。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 两相 沉积 介孔硅 夹持 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
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