[实用新型]5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路及电子设备有效
| 申请号： | 202020312999.4 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN210986100U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王斌坚;王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市旗开电子有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/40 | 分类号： | H04B1/40;H04B1/401;H04B1/00 |
| 代理公司： | 深圳市海盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 44540 | 代理人： | 赵雪佳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种5G通讯NR及EN‑DC的射频前端电路及电子设备，射频收发器的LTE中频发射信号端和N1发射信号端分别与双刀双掷开关连接，双刀双掷开关与功率放大器U2101、功率放大器U2110的射频信号输入端连接；射频收发器的LTE高频发射信号端和N41发射信号端分别通过单刀双掷开关U2109与功率放大器U2101连接；功率放大器U2101的N41发射信号端与射频耦合器连接，射频耦合器、5G射频器件U2507的N41上行单流信号输出端分别与单刀双掷开关U2506的输入端连接；采用此技术方案，充分利用了传统4G产品的相关器件实现了5G的通讯NR及EN‑DC射频技术，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 通讯 nr en dc 射频 前端 电路 电子设备 | ||
【主权项】：
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