[实用新型]5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路及电子设备

说明书

本实用新型提供了一种5G通讯NR及EN‑DC的射频前端电路及电子设备，射频收发器的LTE中频发射信号端和N1发射信号端分别与双刀双掷开关连接，双刀双掷开关与功率放大器U2101、功率放大器U2110的射频信号输入端连接；射频收发器的LTE高频发射信号端和N41发射信号端分别通过单刀双掷开关U2109与功率放大器U2101连接；功率放大器U2101的N41发射信号端与射频耦合器连接，射频耦合器、5G射频器件U2507的N41上行单流信号输出端分别与单刀双掷开关U2506的输入端连接；采用此技术方案，充分利用了传统4G产品的相关器件实现了5G的通讯NR及EN‑DC射频技术，降低了成本。

技术领域

本实用新型涉及通讯技术领域，尤其涉及一种5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路及电子设备。

背景技术

目前，5G通讯组网分为独立组网（Standalone，SA）和非独立组网（Non-Standalone，NSA）两种方案。SA组网方案主要用到NR（New Radio）射频技术，而NSA组网方案主要用到EN-DC（E_UTRE-NR Dual Connectivity）射频技术。当前主流芯片厂商提供的支持上述两种5G通信要求的射频设计方案使用的基本都是依赖于欧美主流器件供应商高集成度的元器件，而相对4G时代的通讯产品而言，不仅成本陡增，而且难以将以往成熟的射频元器件利用起来，从而造成物料利用率低。

实用新型内容

针对上述技术问题，本实用新型公开了一种5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路及电子设备，降低了成本，提高了现有物料的利用率。

对此，本实用新型的技术方案为：

一种5G通讯NR及EN-DC的射频前端电路，其包括射频收发器、双刀双掷开关U2113、功率放大器U2101、功率放大器U2110、单刀双掷开关U2109、射频耦合器U2510、单刀双掷开关U2506、5G射频器件U2507、ANT_TRX2天线、ANT_TRX3天线、ANT_TRX1天线和射频前端模组FEM U2202；

所述射频收发器的LTE中频发射信号端和N1发射信号端分别与双刀双掷开关U2113的输入端连接，所述双刀双掷开关U2113的输出端与功率放大器U2101、功率放大器U2110的射频信号输入端连接；即双刀双掷开关U2113将射频收发器输出的LTE中频发射信号和N1发射信号切换控制输出到LTE/WCDMA PAM Phase 5N HPUE(功率放大器U2101)和LTEB3 PAM(功率放大器U2110)的射频信号输入端，实现N1/B1/B3频段功率放大器的发射信号输入及放大；

所述射频收发器的LTE高频发射信号端、N41发射信号端分别通过单刀双掷开关U2109与功率放大器U2101的射频信号输入端连接；即单刀双掷开关U2109将射频收发器输出的LTE高频发射信号和N41发射信号切换控制输出到LTE/WCDMA PAM Phase 5N HPUE(功率放大器U2101)的射频信号输入端，实现LTE高频信号和N41频段功率放大器的发射信号输入；

所述功率放大器U2101的N41发射信号端与射频耦合器U2510的输入端连接；即射频耦合器U2510将从功率放大器U2101输出的N41发射信号传递到下一级；

所述射频耦合器U2510的N41上行单流信号输出端、5G射频器件U2507的N41上行单流信号输出端通过电容L2566和电容L2567的选择电路与单刀双掷开关U2506的输入端连接；即单刀双掷开关U2506将由射频耦合器U2510输出的N41上行单流信号（1T）和由5G射频器件U2507输出的N41上行单流信号(1T)在其输入端做信号输入选择（优先选择来源于4G射频器件U2101的信号），实现选择其中一路单流信号输入，经由U2506切换变成两路的发射信号链路流；