[实用新型]第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置有效
申请号: | 202020275308.8 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN211595781U | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 夏钰东;陈岚;赵睿鹏;陶伯万 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58 |
代理公司: | 成都华飞知识产权代理事务所(普通合伙) 51281 | 代理人: | 杜群芳 |
地址: | 610031 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及磁控溅射技术领域,具体涉及一种第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置,所述保护装置包括保护壳体、升降驱动装置和磁控溅射枪,保护壳体内设置有保护腔室,磁控溅射枪设置在保护腔室内,保护壳体的底部设置有闸板阀,所述闸板阀用于封闭保护腔室,所述升降驱动装置设置在保护壳体的顶部,所述磁控溅射枪通过伸缩杆与升降驱动装置连接。本实用新型通过保护腔室保护安装在磁控溅射枪上的靶材,让靶材处于保护腔室的真空保护状态,在更换基片或基带的过程中避免靶材氧化,减少换取基片样品过程中靶材氧化的相关影响,对促进易氧化靶材的连续制备研究,特别是第二代高温超导带材金属靶的高质量制备研究具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 第二代 高温 超导 金属 溅射 保护装置 | ||
【主权项】:
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