[发明专利]一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011644553.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114695573A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 赵保星;连维飞;张树德;符欣;魏青竹;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/20 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 杨敏 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法，钝化接触栅线的太阳能电池结构，包括：p型硅基底层；正面电极，设于所述p型硅基底层上表面的栅线区域；钝化隧穿结构层，设于所述p型硅基底层、所述正面电极两者之间，所述钝化隧穿结构层包括由下至上依次堆叠设置的氧化硅隧穿层与掺杂多晶硅层；以及正面电池结构，包括：n++扩散层，所述n++扩散层堆叠设置于所述p型硅基底层上、且位于所述p型硅基底层上表面的非栅线区域。通过上述设置，可解决目前poly‑finger技术制备工艺难度大、poly‑finger结构的隧穿接触效果较差导致电池性能较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 接触 太阳能电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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