[发明专利]一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器有效
| 申请号： | 202011641805.6 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112653396B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 马凯学;李一夫 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/62 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，该放大器包括用于实现宽频带且低噪声匹配的低噪声放大器，用于实现宽频带且最大功率匹配的功率放大器，单刀双掷开关A和单刀双掷开关B，并超宽带双向放大器的开关管两端分别设置有相同的5V正压控制开关单元。这种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器能够实现超宽带的同时又高频覆盖至10.6GHz，并且具有Rx路LNA放大器和Tx路PA放大器优异的性能。此外设置在两端的5V正压控制开关单元将负压控制的开关管变为正压控制，使用更加方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 500 nm gaas phemt 工艺 宽带 双向 放大器 | ||
【主权项】：
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