[发明专利]一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器

权利要求书

1.一种基于500nm GaAs pHEMT工艺的超宽带双向放大器，其特征在于，包括低噪声放大器、功率放大器、单刀双掷开关A和单刀双掷开关B；

低噪声放大器包括信号输入端Rx_input和信号输出端Rx_output，用于实现宽频带且低噪声匹配；低噪声放大器还包括输入匹配单元1、输出匹配单元1、晶体管M8、晶体管M9、偏置电路1、偏置电路2、偏置电路3、反馈单元1和电容C16；信号从信号输入端Rx_input输入，依次经过输入匹配单元1、晶体管M9、晶体管M8和输出匹配单元1后从信号输出端Rx_output输出；

输入匹配单元1包括电容C17和电感L20，电感L20的一端与电容C17连接后接地，另一端连接晶体管M9的栅极；晶体管M9的源极接地，漏级连接所述晶体管M8的源级；

输出匹配单元1包括电容C14和电感L16，电感L16的一端连接晶体管M8的漏极，另一端与电容C14连接后接地；

偏置电路1包括电源VDD1和电感L17，电感L17的一端连接电源VDD1，另一端连接晶体管M8的漏极；偏置 电路1连接晶体管M8的漏极，用于为晶体管M8供电；

偏置电路2包括电源VG1和电感L19，电感L19的一端连接电源VG1，另一端连接晶体管M9的栅极；偏置电路2连接晶体管M9的栅极，用于为晶体管M9供电；

偏置电路3包括电源VG2和电感L18，电感L18的一端连接电源VG2，另一端连接晶体管M8的栅极；偏置电路3连接晶体管M8的栅极用于为晶体管M8供电，并与电容C16连接后接地；

反馈单元1包括电容C15和电阻R11，电阻R11的一端连接电容C15后与晶体管M8的漏极连接，另一端与晶体管M8的栅极连接；反馈单元1的一端连接晶体管M9的栅极，另一端连接晶体管M8的漏极，用于提升晶体管M8、晶体管M9的稳定性和增益平坦度；

功率放大器包括输入端Tx_input和信号输出端Tx_output，用于实现宽频带且最大功率匹配；

当单刀双掷开关A选择信号输入端Rx_input，单刀双掷开关B选择信号输出端Rx_output时，信号从信号输入端Rx_input输入低噪声放大器，经过宽带匹配电路和降低噪声处理后从信号输出端Rx_output输出；当单刀双掷开关B选择信号输入端Tx_input，单刀双掷开关B选择信号输出端Tx_output时，信号从信号输入端Tx_input输入功率放大器，经过宽带匹配电路和增大功率处理后从信号输出端Tx_output输出。