[发明专利]Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用有效
| 申请号： | 202011635587.5 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820870B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 马景云;倪浩杰 | 申请（专利权）人： | 齐鲁工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 刘红阳 |
| 地址： | 250000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料及其制备与应用。本发明我们以商业化的纳米硅粒子为研究体系，采用光敏化聚合苯乙烯~硅纳米离子乳液、高温煅烧热处理与水热相结合的方式控制合成核壳结构Si@void@C嵌入三维多孔碳网的复合材料。通过紫外光照射聚合苯乙烯，形成聚苯乙烯，高温热解形成碳源，合成工艺简单、绿色，苯乙烯单体价格低廉。本发明避免了以往核壳结构Si@void@C研究工作中涉及的繁复模板引入及其腐蚀性HF对环境的破坏，有效地提升了Si纳米粉体的循环比容量与稳定性，降低了材料成本，有望实现商业化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | si void 嵌入 三维 多孔 负极 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于齐鲁工业大学，未经齐鲁工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011635587.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种机头减震机构
- 下一篇：室内建筑装修用简易升降梯
