[发明专利]一种硅基光电子单片式异质集成方法有效
| 申请号： | 202011630305.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112764158B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 齐志强;王晨晟;张智杰;吴新建;龙瀚凌 | 申请（专利权）人： | 华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所） |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13;G02B6/136;G02B6/132 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 刘璐 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅基光电子单片式异质集成方法，涉及硅基光子集成技术领域。基于硅基光电子平台将III‑V化合物半导体和硅基光电子器件进行单片式集成，可应用于光电微系统应用领域。本发明针对光电微系统小型化、集成化和多功能化发展趋势对单片集成不同材料体系有源和无源半导体光子器件的迫切需求，提出了一种基于硅基的单片式异质集成方法，利用该方法可以实现基于同一硅片平台上激光器、调制器和探测器等有源光电器件和分束器、耦合器和光学微腔等无源光电器件的异质集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电子 单片 式异质 集成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所），未经华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011630305.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：关于无线热点的信息处理方法和装置
- 下一篇：一种机械加工切割装置
