[发明专利]行驱动器及其构成的图像传感器在审
| 申请号： | 202011630207.9 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112752042A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王欣洋;刘洋;马成;姜涛 | 申请（专利权）人： | 长春长光辰芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种行驱动器，包括PMOS晶体管Q1、PMOS晶体管Q4、PMOS晶体管Q5、NMOS晶体管Q2和NMOS晶体管Q3，PMOS晶体管Q1和PMOS晶体管Q4的栅极分别与输入信号连接，PMOS晶体管Q1的漏极与接地电压连接，PMOS晶体管Q1的源极与PMOS晶体管Q4的漏级连接，PMOS晶体管Q4的源极与工作电压源连接，PMOS晶体管Q1的源极与PMOS晶体管Q4的漏级分别与PMOS晶体管Q5的栅极连接，PMOS晶体管Q5的源极与升压电压源连接，PMOS晶体管Q5的漏级与NMOS晶体管Q2的漏级连接，NMOS晶体管Q2的栅极与工作电压源连接，NMOS晶体管Q2的源极与NMOS晶体管Q3的漏级连接，NMOS晶体管Q3的栅极与输入信号连接，NMOS晶体管Q3的源极与接地电压连接。本发明能够使任何一个晶体管的各个端电压都小于或等于工作电压，降低晶体管的故障率。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动器 及其 构成 图像传感器 | ||
【主权项】：
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