[发明专利]一种常闭型高电子迁移率晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 202011621679.8 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112582470B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;吕全江 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型高电子迁移率晶体管及制造方法。本发明通过两次选区外延的方法，对栅极位置的栅极AlGaN层和P型层，以及栅极之外区域的AlGaN势垒层可以单独进行设计和生长，组分，厚度等可精确控制，从而实现阈值电压、导通时栅极下方的二维电子气浓度和导通时栅极之外导电沟道的二维电子气浓度的最优化设计，互不干扰，同时整个制造过程中没有涉及干法刻蚀，而是代之以湿法选择性腐蚀，最大程度的保护了晶体管表面质量，避免了干法刻蚀带来的不利后果。基于本发明制造方法获得的常闭型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其高阈值电压、阈值电压一致性、低导通电阻、高稳定性等性能可以兼得。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常闭型高 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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