[发明专利]一种难熔超强金属单晶纳米线的原位生长方法有效
| 申请号： | 202011621078.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112853469B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 钟立;李海 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B11/02 | 分类号： | C30B11/02;C30B29/62;C30B29/02;B22F9/08;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 211189 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大长径比、低缺陷浓度、超强金属钨单晶纳米线的原位生长方法。具体方法为：基于原位透射电子显微技术对两个相互接触的钨尖端施加电压产生电流，通过焦耳加热使金属局部熔化断开；熔融金属在两个断开尖端间的强电场中迅速固化，在电场作用下生成长径比大、缺陷密度极低的金属钨单晶纳米线。本发明实现一步法生长单根钨单晶纳米线，步骤简单、效率高(单根纳米线生长时间远小于1s)；制备得到的纳米线具有尺寸均匀、缺陷少、结晶度高、表面无污染、弹性应变大、强度高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超强 金属 纳米 原位 生长 方法 | ||
【主权项】：
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