[发明专利]芯片老化性能建模方法、装置、设备及存储介质有效
| 申请号： | 202011611165.4 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112651210B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张亚光 | 申请（专利权）人： | 海光信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F115/10;G06F119/02;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区天津华苑*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明一个或多个实施例提供了一种芯片老化性能建模方法、装置、存储介质及设备，该方法包括：对影响芯片性能中的目标电路模块进行加速测试，得到测试结果；根据所述测试结果建立所述目标电路模块的第一性能参数随时间变化的第一函数关系；建立在所述芯片未老化的状态下，所述目标电路模块的所述第一性能参数与所述芯片的第二性能参数之间的第二函数关系；根据所述第一函数关系以及所述第二函数关系，建立所述芯片的所述第二性能参数随时间变化的老化性能模型，该方法可快速建立芯片老化性能的模型。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 老化 性能 建模 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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