[发明专利]一种PIN二极管在审
| 申请号： | 202011605046.8 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750914A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李世峰;马丽筠;雷骁;王雷阳;邬邦 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 李炜 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PIN二极管，为垂直结构，包括由下到上依次堆叠的衬底、N型掺杂半导体、N区欧姆接触区、本征半导体、P型掺杂半导体和P区欧姆接触区；N区互联金属连接到N区欧姆接触区，并作为二极管的负电极与外接电路互联；P区互联金属连接到P区欧姆接触区，并作为二极管的正电极与外接电路互联；所述P区欧姆接触区、P型掺杂半导体、本征半导体和N型掺杂半导体中的至少一个结构为圆角矩形。该二极管在高频条件下阻抗更低，具有更好的导通性，改变了传统PIN二极管在高频电路中发热区分布不均匀的问题，进一步提高了高频电路中圆角矩形PIN二极管的耐功率能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pin 二极管 | ||
【主权项】：
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