[发明专利]一种基于熔渗预制体孔隙结构调控的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202011593367.0 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114685179A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 陈小武;张俊敏;董绍明;张翔宇;杨金山;阚艳梅;胡建宝;廖春景 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于熔渗预制体孔隙结构调控的碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括：（1）将纤维布浸渍于碳化硅浆料中并取出，得到纤维浸渍片后再经裁剪、烘干、加压固化和第一次热解处理，得到预成型体；（2）将有机树脂、造孔剂和溶剂混合后，得到造孔浆料；（3）将所得预成型体真空浸渍在造孔浆料中并取出，再经固化和第二次热解处理，得到熔渗预制体；（4）采用硅粉或/和硅合金粉包埋所得熔渗预制体，经反应烧结，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 预制 孔隙 结构 调控 碳化硅 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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