[发明专利]一种MoS2 有效
| 申请号： | 202011574098.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687760B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 彭陈阳;刘富德;郑大伟;古元;熊汉琴 | 申请（专利权）人： | 清远道动新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01G9/20;H01L29/24;H01L31/032;H01L31/109 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 511500 广东省清远市清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开一种MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 mos base sub | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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