[发明专利]一种具有高热电性能的碲化锗基热电材料

摘要

本发明涉及一种具有高热电性能的碲化锗基热电材料，其化学表达式为(Ge1‑xCu2xTe)1‑y(PbSe)y，其中，x＝0.02,0≤y≤0.25；制备方法是以金属单质为原料，按化学计量比进行配料，通过真空封装、高温熔融、退火热处理、淬火得到铸锭，将铸锭研磨成粉后真空热压得到片状材料即为目标组分的新型碲化锗基热电材料。与现有技术相比，本发明的热电材料创造了zT峰值和平均zT的新纪录(其峰值zT在600‑800K达到2.5，工作温度平均zT大于1.5)，是目前GeTe中热电性能最优的材料高于其他已知p型热电材料；揭示了在GeTe中通过缺陷调控，实现了载流子浓度的优化和晶格热导率的降低，获得了具有记录性的高热电性能。