[发明专利]一种垂直腔面发射激光器有效
申请号: | 202011541598.7 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112615256B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 曾评伟;林科闯;范纲维 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安集成电路有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/34;H01S5/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器,包括依次层叠的N电极、衬底、第二氧化层、N型DBR层、MQW层、第一氧化层、P型DBR层、P型接触层和P电极,第一氧化层包括第一未氧化区和位于第一未氧化区周围的第一氧化物限制区,第二氧化层包括第二未氧化区和位于第二未氧化区周围的第二氧化物限制区,第二未氧化区的孔径小于第一未氧化区的孔径,第一未氧化区的孔径小于或等于由P电极所形成光窗的孔径。本发明不仅可以改善光斑模态,而且还可以减少散热负担。 | ||
搜索关键词: | 一种 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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