[发明专利]具有光耦合增强及载流子传输平衡的一体式空穴注入层的红光OLED器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011539789.X 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN112490383A 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 郑燕琼;李维光;陈俊聪;唐杰 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种具有光耦合增强及载流子传输平衡的一体式空穴注入层的红光OLED器件及其制备方法,涉及有机发光二极管领域。本器件包括衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、红光发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。该器件的特征之处在于空穴注入层,通过优选有机溶剂或酸,创造高浓度流动气相氛围,将制备的空穴注入层薄膜放入其中进行微刻蚀。利用气相溶剂温和地自上而下地刻蚀作用在薄膜表面形成光散射结构,并适当降低空穴迁移率,同时实现了红光OLED器件光耦合增强和空穴/电子传输平衡的双重功效。本发明工艺简单,克服了传统溶剂工程技术引起器件严重漏电流的缺陷,同时极大提升器件发光效率。
搜索关键词: 有光 耦合 增强 载流子 传输 平衡 体式 空穴 注入 红光 oled 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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