[发明专利]一种激光熔覆原位合成钼-硅-硼合金涂层的方法有效

专利信息
申请号: 202011536356.9 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN112760636B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 李尧;杨浩;刘源;张勇;张凤英 申请(专利权)人: 长安大学
主分类号: C23C24/10 分类号: C23C24/10;C22C27/04
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 马小燕
地址: 710064 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种激光熔覆原位合成钼‑硅‑硼合金涂层的方法,该方法包括:一、将钼板进行表面预处理作为基材;二、将球形钼粉末与硅粉、碳化硼粉末机械混合得到混合粉末;三、在钼板基材上对混合粉末进行激光熔覆,原位合成得到钼‑硅‑硼合金涂层。本发明采用碳化硼粉末作为硼原料,避免了激光熔覆的高温条件下,硼原料挥发损耗使得激光熔覆合成的钼‑硅‑硼合金涂层的成分与设计成分产生较大的偏差,降低了钼‑硅‑硼合金涂层的开裂倾向,得到的钼‑硅‑硼合金涂层成分组织均匀,无裂纹缺陷,与基材结合性好、厚度可控,且具有高强度、高硬度和抗高温氧化性能,对钼基材料具有优异的氧化防护性能。
搜索关键词: 一种 激光 原位 合成 合金 涂层 方法
【主权项】:
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